研究人员开发出测量半导体缺陷的新方法有望改进电动汽车技术
来源：盖世汽车时间：2026-05-20 03:27 阅读量：4694
盖世汽车讯 据外媒报道，桑迪亚国家实验室和奥本大学(Auburn University)的研究人员开发出新方法，可以更精确地检测电子材料中的原子级缺陷。这项进展有望改进从电动汽车到高功率电子产品等多种技术。该研究发表于期刊《Journal of Applied Physics》，解决了长期以来在探究半导体与绝缘层临界边发生的现象方面存在的挑战。
在这个界面处，微观缺陷会捕获电荷并悄无声息地降低器件性能，即使器件表面上看起来运行正常。这些缺陷会限制效率、增加电损耗，并降低先进半导体器件的性能。
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